DMN1004UFV-13：N溝道MOSFET功率半導體器件

DMN1004UFV-13是一款性能優異的N溝道增強型功率MOSFET晶體管，采用先進的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）技術制造。這款器件由全球知名的半導體制造商Diodes Incorporated（美臺半導體） 生產，以其高效率和高可靠性在現代電子電路中發揮著重要作用，尤其適用于需要高電流處理能力和緊湊空間設計的應用場景。

本品采用PowerDI3333-8（UX類） 封裝。這種封裝類型屬于表面貼裝器件（SMD），專為高功率密度和高效散熱而優化，非常適合于自動化PCB組裝流程，能夠滿足現代電子產品對小型化和高集成的嚴格要求。

技術特性與電氣參數

DMN1004UFV-13的設計專注于提供低導通損耗和高速開關性能。其漏源電壓（Vdss） 額定值為12V，能夠承受高達70A的連續漏極電流（Tc條件下）。這意味著它非常適合處理高負載電流的應用，如電源管理、電機驅動和電池保護電路。

該器件的一個突出特點是其極低的導通電阻（Rds(on)），最大值僅為3.8毫歐（在15A電流和4.5V柵極電壓條件下測量）。低導通電阻直接轉化為更低的熱損耗和更高的系統效率，使得器件在運行時發熱更少，或者在相同溫度下能夠處理更大的電流。

柵極閾值電壓（Vgs(th)） 最大值為1V（在250μA測試電流下），表明這是一款增強型MOSFET，需要正柵極電壓來形成導電溝道。其驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 為2.5V和4.5V，而柵極-源極電壓（Vgs） 最大值為±8V，為用戶提供了靈活驅動選擇的同時，也需要注意不要超過這個絕對最大值，以免損壞器件。

在開關性能方面，DMN1004UFV-13表現出色。3提供了其動態特性的詳細數據：

· 柵極電荷（Qg） 最大值為47nC（在8V柵極-源極電壓下）。Qg值是計算柵極驅動電路要求和開關損耗的關鍵參數。

· 輸入電容（Ciss） 最大值為2385pF（在6V漏源電壓下）。該電容會影響器件的開關速度。

· 其上升時間為10.7 ns，下降時間為16.9 ns，典型開通延遲時間為5.3 ns，典型關斷延遲時間為31.6 ns。這些快速的開關特性使其適用于高頻開關電路，如DC-DC轉換器。

器件的最大功率耗散能力為1.9W（Ta），這體現了其所能承受的熱負荷。其工作結溫范圍（TJ） 寬廣，從-55°C到+150°C，保證了器件在各種苛刻環境下的穩定運行。

應用領域

DMN1004UFV-13憑借其高電流容量、低導通電阻和小型化封裝，非常適合多種功率管理和開關應用，例如：

· DC-DC轉換器：在服務器、通信設備及工業系統的電源模塊中，用于同步整流和開關拓撲，能有效提升轉換效率。

· 負載開關電路：為便攜式設備（如智能手機、平板電腦）中的各個功能模塊提供高效的電源分配和開關控制。

· 電機驅動與控制：驅動小型直流電機，廣泛應用于消費電子產品、汽車輔助系統及工業自動化設備中。

· 電池保護與管理模塊：在電動工具、無人機和便攜式設備電池組中，實現過流保護、放電控制等關鍵功能。

總結

Diodes Incorporated生產的DMN1004UFV-13是一款高性能N溝道功率MOSFET，采用緊湊的PowerDI3333-8（UX類） 表面貼裝封裝。其12V的漏源電壓、高達70A的連續漏極電流以及僅3.8毫歐的超低導通電阻，使其在電源管理和功率開關應用中能顯著提升效率并減少熱量產生。先進的MOSFET技術確保了其快速的開關特性（如47nC的低柵極電荷）和優異的熱性能（1.9W功率耗散，-55°C至150°C工作溫度）。這些特點讓DMN1004UFV-13成為要求高功率密度和高可靠性的現代電子設計的理想選擇，尤其適用于空間受限且對效率要求苛刻的場景。

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