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Nexperia(安世半導體)作為全球領先的分立器件制造商,其PLVA系列二極管以高可靠性和微型化設計著稱。PLVA650A,215屬于低電壓雪崩穩壓二極管(Zener Diode),通過汽車電子委員會AEC-Q101認證,滿足嚴苛環境下的穩定性要求。該器件采用雪崩擊穿技術,相比傳統齊納二極管,在動態阻抗、噪聲控制和擊穿特性上顯著優化,適用于高精度電壓調節場景 。
1. 超低動態阻抗與硬擊穿特性:
在0.25mA測試電流下,動態阻抗僅為傳統二極管的5%(約700Ω),確保低電流工況下的電壓穩定性。其“硬擊穿拐點”(Hard Breakdown Knee)設計使擊穿電壓曲線更陡峭,減少電壓漂移風險,提升調節精度 。
2. 極低噪聲與高能效:
噪聲水平僅為傳統系列的10%,適用于對電磁干擾敏感的電路(如傳感器信號調理、CMOS RAM備份電源)。正向壓降(Vf)典型值900mV@10mA,減少功耗損失,支持電池供電設備的長時運行 。
3. 微型封裝與高功率密度:
SOT-23封裝面積不足3mm2,高度僅1mm,節省電路板空間。盡管體積小巧,其最大功率耗散達250mW,非重復峰值功率耐受能力高達30W(150°C條件下),適合緊湊型工業與汽車電子模塊 。
· CMOS RAM備份電路:5V±4%的穩壓精度(最小值4.8V,最大值5.2V)確保內存數據在主電源中斷時安全保存,泄漏電流低至21μ[email protected],避免電量過度消耗 。
· 電壓穩定與限幅保護:用于電源軌的次級穩壓,抑制浪涌電壓;在通信接口中作為信號鉗位二極管,防止過壓損壞敏感IC 。
· 安全與檢測系統:煙霧探測器繼電器的核心保護元件,利用其低噪聲特性避免誤觸發,150°C高溫耐受能力適配密閉環境長期運行 。
參數 | 數值 | 條件 |
標稱齊納電壓(Vz) | 5 V | IZ = 0.25 mA |
電壓容差 | ±4% (±0.2 V) | - |
最大功率(Ptot) | 250 mW | 25°C環境溫度 |
正向壓降(Vf) | 900 mV | IF = 10 mA |
反向泄漏電流(Ir) | 21 μA | VR = 4.5 V |
工作溫度范圍 | -65°C ~ 150°C | 符合AEC-Q101 |
封裝熱阻(RθJA) | 357 K/W | 自然對流冷卻 |
PLVA650A,215采用無鉛(Lead-Free)設計并通過RoHS認證,符合全球環保法規。其硅基材質(SILICON)與鷗翼式引腳(Gull-wing)結構支持260°C峰值回流焊(40秒內),適配自動化貼裝工藝。此外,器件提供SPICE模型和3D封裝文件,便于設計階段仿真驗證 。
Nexperia PLVA650A,215以雪崩擊穿技術為核心,在微型SOT-23封裝內實現了高精度電壓調節與卓越的抗噪性能。其汽車級可靠性、寬溫域適應性及低功耗特性,使其成為工業控制、車載電子及便攜設備中精密電源管理的理想選擇。工程師可借助Nexperia提供的SPICE模型優化電路設計,縮短產品上市周期 。
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