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LPB8660DT0AG 作為樂山無線電(LRC)功率MOSFET系列的核心型號,代表了高效電源開關技術的成熟解決方案。其DFN3333-8A封裝融合了高功率密度與微型化設計,在3.3×3.3mm的占板面積內實現了優異的電氣隔離和熱傳導性能1。該器件采用垂直溝道結構,通過優化摻雜工藝將導通電阻降至毫歐級別,顯著降低導通態損耗,適用于12V-48V中壓系統的開關電源拓撲。
1. 高效能轉換
憑借低柵極電荷(Qg)與低輸出電容(Coss) 特性,LPB8660DT0AG在高頻開關場景(如500kHz以上PWM控制)中可減少高達30%的動態損耗,提升整機能效至95%以上。這一特性使其成為快充適配器、服務器電源等高效能系統的理想選擇。
2. 熱穩定性與可靠性
DFN3333-8A封裝的銅合金引腳框架與裸露焊盤設計,將熱阻(RθJA)控制在40°C/W以內,配合PCB散熱銅層可快速導出器件內部熱量。產品通過工業級溫度循環測試(-55°C至+175°C),確保極端環境下的長期穩定運行1。
3. 環保與兼容性
嚴格遵循RoHS無鉛標準,焊接兼容Sn-Ag-Cu(SAC)合金焊料。封裝尺寸符合JEDEC MO-229規范,與主流貼片設備兼容,支持SMT全自動化生產。
· 電源轉換系統:用于同步整流Buck/Boost電路,提升DC-DC轉換器輕載效率;
· 電池管理模塊:作為鋰電池保護板的充放電控制開關,支持20A持續電流;
· 電機驅動:驅動直流無刷電機(如無人機電調、小型機器人關節),響應時間<100ns;
· 便攜設備:集成于TWS耳機充電倉、移動電源等空間受限設備,優化PCB布局。
DFN3333-8A封裝采用八引腳雙側對稱布局,通過內部銅柱綁定技術縮短源極電流路徑,降低寄生電感。底部大面積散熱焊盤占封裝面積60%以上,支持直接焊接至PCB散熱層,實現雙面散熱通道。這種結構在5G微基站電源模塊等高溫場景中已驗證可承受10W連續功率耗散。
· 電壓/電流規格:漏源電壓VDS=60V,連續漏極電流ID=20A(Tc=25°C);
· 導通特性:Rds(on)典型值≤8mΩ(Vgs=10V),開關延遲時間<15ns;
· 保護能力:雪崩耐量EAS≥100mJ,集成ESD防護(HBM>2kV)。
某國產通信設備廠商采用LPB8660DT0AG替換傳統SO-8封裝MOSFET,在48V轉12V的POL(Point-of-Load)模塊中:
· 空間占用減少45%,允許增加輸出濾波電容;
· 滿載溫升降低22°C,散熱成本下降30%;
· 系統峰值效率達97.2%,通過能源之星VI認證。
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