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BZV55-C3V3是Nexperia(安世半導體)推出的低功率穩壓二極管,屬于BZV55系列的標準型號之一。其核心功能是通過齊納擊穿效應實現穩定電壓輸出,標稱齊納電壓(Vz)為3.3V,容差范圍±5%,適用于低功耗穩壓場景。該器件采用小型玻璃密封封裝(SOD80C),兼具高可靠性與緊湊設計,廣泛應用于消費電子、電源管理模塊及工業控制系統中。
· 電氣特性:
o 穩壓性能:標稱工作電壓3.3V,實際工作范圍3.1–3.5V(基于±5%容差)。
o 功率與電流:最大持續功耗500mW,測試電流(Iz)為5mA;非重復峰值功率可達40W(瞬態浪涌保護)。
o 阻抗與漏電流:動態阻抗(Zzt)典型值95Ω,反向漏電流低至5μA@1V,保障低功耗運行。
o 溫度適應性:工作溫度覆蓋-65°C至+200°C,電壓溫度系數-2.4mV/°C,適應嚴苛環境。
· 封裝與機械特性:
o SOD80C(MiniMELF)封裝尺寸僅3.5×1.5mm,玻璃材質提供氣密性保護,適用于自動化貼裝。
o 符合RoHS及無鉛標準,支持回流焊與波峰焊工藝(參考JEDEC標準回流曲線)。
· 高精度穩壓:基于E24標準電壓序列設計,±5%容差平衡成本與精度需求。
· 低差分電阻:優化后的內部結構降低電壓波動,提升輸出穩定性。
· 強抗浪涌能力:支持40W瞬時峰值功耗(如100μs脈沖),增強系統抗干擾性。
· 小型化封裝:SOD80C封裝占板面積比傳統DO-41減少70%,適合高密度PCB設計。
· 電源穩壓模塊:用于LDO輔助電路或開關電源的基準電壓源,抑制輸入波動。
· 電壓鉗位保護:在通信接口(如UART、I2C)中防護ESD及過壓沖擊。
· 便攜設備供電:憑借500mW低功耗特性,廣泛用于電池供電設備(如傳感器節點、IoT設備)的電壓參考。
SOD80C封裝采用玻璃密封工藝,內部連接結構經特殊設計以降低熱應力:
· 結構:圓柱形玻璃體兩端嵌入鍍錫銅合金電極,陰極通過色環標識。
· 焊接兼容性:支持J-STD-020標準回流焊(峰值溫度260°C)及波峰焊,MSL等級達JEDEC Level 1。
· 包裝規格:標準卷盤包裝(Tape & Reel),每盤2500件(12NC結尾115)或10000件(12NC結尾135),適配SMT產線高速貼裝。
Nexperia(安世半導體)作為前NXP標準器件事業部,擁有超過50年分立器件研發經驗:
· 可靠性認證:通過AEC-Q101汽車級認證(部分批次),提供完整的PPAP文檔支持。
· 生產標準:遵循零缺陷(Zero Defect)品控體系,批次一致性達E24工業標準。
· 生態鏈兼容性:可與ON Semiconductor的MMSZ系列、Diodes Inc的BZT52系列互為替代,設計冗余度高。
通過上述設計,BZV55-C3V3在3.3V低電壓穩壓領域建立了高性價比與高可靠性的雙重優勢,成為工程師應對空間受限設計的優先選擇。
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