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BC857C是一款通用型PNP雙極結型晶體管(BJT),憑借其45V集射極擊穿電壓(Vceo)和100mA連續集電極電流(Ic)能力,成為中低壓電路的理想選擇。其核心優勢在于高電流增益(hFE=420–800@2mA/5V),可在低驅動電流下高效放大信號,顯著降低系統功耗。
低飽和壓降設計(VCE(sat)≤250mV@100mA)進一步提升了能源效率,尤其在電池供電設備中可延長續航時間。同時,100MHz特征頻率(fT)支持中高頻信號處理,適用于音頻放大和射頻調制場景。
下表列出了BC857C的關鍵參數:
參數 | 規格值 |
晶體管類型 | PNP |
集電極電流 (Ic) | 100mA (最大值) |
集射極擊穿電壓 (Vceo) | 45V (最大值) |
直流電流增益 (hFE) | 420–800 @ 2mA, 5V |
飽和壓降 (VCE(sat)) | 250mV @ 100mA, 5mA |
特征頻率 (fT) | 100MHz |
封裝形式 | SOT-23-3 (TO-236AB) |
1. 電氣性能
§ 高增益穩定性:在2mA低集電極電流和5V電壓下,hFE仍保持420以上的最小值,確保小信號放大的一致性。
§ 低漏電流控制:集電極截止電流(ICBO)僅15nA,減少待機功耗,提升能效。
§ 功率耐受性:250mW(Nexperia)或330mW(PANJIT)的功率耗散能力,適應高負載需求。
2. 環境適應性
工作溫度范圍覆蓋-65°C至+150°C(Nexperia)或-50°C至+150°C(PANJIT),兼容汽車電子(AEC-Q101認證)及工業設備嚴苛環境。
1. 信號放大電路
高hFE特性使其在傳感器信號前置放大、音頻輸出級等場景表現優異。例如,在麥克風放大器中,可精準處理μA級弱電流信號。
2. 開關與電源管理
§ 低飽和壓降優勢:作為電源開關時導通損耗極低,例如在LED驅動電路中控制100mA電流,熱能損耗較競品降低20%以上。
§ 快速響應能力:適用于DC-DC轉換器中的開關元件,提升系統響應速度。
3. 高頻與通信設備
100MHz特征頻率支持射頻調制、振蕩電路設計,用于藍牙模塊、無線收發器等高頻應用。
SOT-23-3封裝通過JEDEC TO-236AB標準認證,具有三點優勢:
1. 空間效率:3mm2占板面積,適用于可穿戴設備等緊湊型產品。
2. 自動化兼容性:卷帶包裝(TR/Digi-Reel?)支持SMT產線高速貼裝。
3. 散熱優化:銅引腳框架提升熱傳導效率,確保250mW功率下的長期可靠性。
Nexperia版本(型號后綴215/235):強調汽車級可靠性,AEC-Q101認證,適合車載電子。
PANJIT版本(型號BC857C_R1):提供更高功率(330mW),適合工業電機控制等高溫場景。
通過精確匹配高增益、低飽和壓降與寬溫域特性,BC857C在消費電子、物聯網設備及汽車電控系統中持續提供穩定、高效的解決方案。其技術參數已成為行業標桿,助力工程師平衡性能與成本需求。
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