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FDC6331L是安森美半導體推出的高端集成負載開關,專為緊湊型電源管理場景設計。其核心架構集成N溝道控制MOSFET(Q1)與P溝道功率MOSFET(Q2),通過內部驅動邏輯實現高效負載通斷控制。關鍵性能包括:
· 寬電壓輸入范圍:2.5V至8V,兼容鋰電池、多節AA電池及低壓直流電源系統。
· 高電流輸出能力:持續負載電流2.8A,滿足電機驅動、背光電路等中功率需求。
· 超低導通損耗:在V<sub>GS</sub>=-4.5V時導通電阻(R<sub>DS(ON)</sub>)低至55mΩ,顯著減少功率損耗及溫升。
1. 能效與熱管理
§ 采用高性能溝槽技術(Trench Technology),在1.8V低壓驅動下仍保持100mΩ導通電阻,優化低電壓場景能效。
§ 最大功率耗散700mW,結合銅基板封裝設計,支持無散熱片工況下的穩定運行。
2. 魯棒性防護設計
§ >6kV HBM ESD保護:控制MOSFET集成齊納二極管鉗位電路,有效抵御靜電放電沖擊。
§ 寬溫域操作:軍工級溫度范圍(-55°C至150°C),適用于工業儀表、車載設備等嚴苛環境。
3. 小型化封裝優勢
SuperSOT-6封裝面積僅5.1mm2,比傳統SOT-23節省30%空間,契合TWS耳機、可穿戴設備等微型化設計趨勢。
FDC6331L的通用性與高集成度使其成為多領域電源管理的優選方案:
· 便攜式電子設備:智能手機/平板電腦的 peripherals電源域隔離,延長待機時間。
· 工業控制系統:PLC模塊、傳感器供電通斷控制,支持熱插拔保護。
· 嵌入式硬件:Raspberry Pi/Arduino擴展板的電源分配模塊,簡化PCB布局。
· 接口兼容性:非反相開/關(On/Off)邏輯控制,可直接連接MCU GPIO引腳,無需額外電平轉換電路。
· 競品對比優勢:相比同類負載開關(如TI TPS229系列),FDC6331L在8V輸入電壓下仍維持全電流輸出,且ESD防護等級提升50%。
隨著IoT設備對能效與尺寸的要求日益嚴苛,FDC6331L憑借 “高集成+小封裝”架構 持續迭代:
· 支持 3000片卷帶包裝(Tape & Reel),適配高速貼片機量產。
· 無鉛/RoHS合規設計,符合歐盟環保指令(2011/65/EU)。
行業趨勢關聯:據Gartner預測,2025年便攜式醫療設備電源IC市場將達$27億,FDC6331L的寬壓特性與低靜態電流(未公開值)契合血糖儀、便攜監護儀等電池供電設備需求。
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