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安森美ON Semiconductor 1SMB5926BT3G 11V 3W SMD齊納二極管
1SMB5926BT3G齊納二極管技術解析與應用指南在現代電子設計中,穩壓二極管的性能直接關系到電路的穩定性和可靠性。安森美半導體的1SMB5926BT3G作為一款3W功率的齊納二極管,憑借其精確的電 ...
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產品簡介 / Introduction

1SMB5926BT3G齊納二極管技術解析與應用指南

在現代電子設計中,穩壓二極管的性能直接關系到電路的穩定性和可靠性。安森美半導體的1SMB5926BT3G作為一款3W功率的齊納二極管,憑借其精確的電壓調節能力和工業級耐用性,已成為電源保護與穩壓方案的核心組件。以下從技術特性、應用場景及品質優勢展開分析。

一、產品概述與技術亮點

1SMB5926BT3G屬于安森美高性能齊納二極管系列,核心參數包括:

· 精準穩壓:標稱齊納電壓11V,容差嚴格控制在±5%以內,確保輸出電壓一致性。

· 高功率處理能力:最大功耗達3W(@25°C),可承受瞬態過壓和持續浪涌電流,適用于高負載環境。

· 低漏電設計:反向漏電流僅1μA(@8.4V),顯著降低靜態功耗,提升能效。

· 寬溫域操作:工作溫度覆蓋-65°C至150°C,適應汽車電子、工業設備等嚴苛環境。

封裝采用標準SMB(DO-214AA)表面貼裝設計,體積小巧(典型尺寸4.6×3.6mm),支持自動化貼片生產,大幅提升組裝效率。

二、關鍵參數深度解析

表:1SMB5926BT3G主要電氣特性

參數

典型值

測試條件

標稱齊納電壓(Vz)

11 V

-

最大功率耗散(Pd)

3 W

25°C環境溫度

動態阻抗(Zzt)

5.5 Ω

峰值電流測試

正向壓降(Vf)

1.5 V

@200mA正向電流

反向漏電流(Ir)

1 μA

@8.4V反向電壓

熱阻(結至引腳)

25°C/W

穩態工作條件

動態阻抗(Zzt)僅5.5Ω,意味著電壓對電流變化的敏感性極低,可在大范圍負載波動下維持穩定輸出。此外,其熱阻設計(25°C/W)優化了散熱路徑,避免因局部過熱引發失效。

三、應用場景與設計優勢

該器件廣泛應用于以下領域:

1. 電源穩壓保護:作為次級穩壓元件,為AC/DC轉換器、開關電源提供過壓鉗位,保護敏感IC。

2. 汽車電子系統:符合工業級溫度標準,適用于車載充電器、ECU電源保護模塊,耐受引擎艙高溫振動環境。

3. 消費電子防護:集成于TV主板、路由器等設備,抑制ESD和浪涌沖擊,延長終端產品壽命。

與競品相比,1SMB5926BT3G的核心優勢在于:

· AEC-Q101潛在兼容性:雖未明確認證,但設計標準滿足汽車電子可靠性要求。

· 無鉛環保工藝:符合RoHS3指令,支持綠色制造流程。

· 性價比突出:批量單價低至$0.4835(10k+采購量),比同類器件成本降低約15%。

四、品質保證與供應鏈優勢

安森美為該器件提供全流程質保

· 原廠封裝管控:采用無空洞轉移模塑工藝,引腳鍍層耐腐蝕,確保焊接可靠性。

· 6個月質量承諾:客戶遇參數不符問題可獲無條件更換(非人為損壞)。

· 全球庫存支持:主流分銷商常態庫存超20,000件,支持3日內發貨,緩解斷貨風險。

五、封裝與安裝指南

SMB(DO-214AA)封裝專為高密度PCB設計優化:

· 焊盤布局:推薦焊盤尺寸2.8×3.0mm,引腳間距4.3mm,兼容回流焊工藝。

· 熱管理建議:在持續滿載工況下,建議搭配銅箔面積≥15mm2的散熱鋪地,避免結溫超限。

· 設計注意事項:避免在If>200mA時持續導通,以防正向壓降引發過熱。高頻應用中需評估寄生電容對信號完整性的影響。




結語

1SMB5926BT3G以精準穩壓、工業級魯棒性和高性價比,成為電源保護設計的理想選擇。其參數規格書與應用筆記可通過安森美官網或授權分銷商獲取。

 

 

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