東京，2024年12月11日 - 全球領先的記憶體解決方案公司Kioxia Corporation今日宣布成功開發出一種名為OCTRAM（氧化物半導體通道電晶體DRAM）的新型技術。這種創新型4F2 DRAM采用了具有超低關斷電流和高導通電流特性的氧化物半導體電晶體，預計將推動低功耗DRAM在多個高效能應用中的廣泛應用。

OCTRAM技術的核心創新在于其使用了InGaZnO（銦鎵鋅氧化物）垂直電晶體，這種電晶體具備極低的電流泄漏特性，這對低功耗應用至關重要。在今年12月9日于美國加州舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議（IEDM）上，Kioxia首次展示了這一技術成果。此次研發合作由Nanya Technology與Kioxia共同完成，標志著兩家公司在推動低功耗記憶體技術方面的重大突破。

傳統的DRAM設計通常依賴于硅基6F2技術，而OCTRAM則通過采用InGaZnO垂直電晶體，在單元電晶體的設計上進行了優化，使得DRAM密度在4F2結構下得到顯著提高。這一設計大大提升了DRAM的性能和效率，使得OCTRAM在高密度存儲方面具備競爭優勢。

OCTRAM的另一大亮點是其超低關斷電流，達到1.0 x 10^-18安/單元，遠低于傳統DRAM技術。這意味著OCTRAM不僅能夠顯著降低能耗，而且能夠支持AI、物聯網和后5G通訊等前沿技術的高效運行。隨著全球對低功耗、高效能存儲技術需求的不斷增加，OCTRAM的推出為這些領域的應用提供了新的解決方案。

技術方面，OCTRAM采用了高深寬比電容器技術，這種結構使得InGaZnO垂直電晶體能夠被整合在電容器頂部。此設計優化了電容器和InGaZnO電晶體之間的相互作用，進一步提升了存儲元件的性能。通過對元件和制程的精細優化，OCTRAM能夠實現超過15微安/單元的高導通電流，并且保持低于1安培/單元的關斷電流。

在面向未來的應用場景中，OCTRAM的低功耗優勢使其特別適用于人工智能（AI）、物聯網（IoT）以及高效能計算領域。隨著技術的進一步成熟，OCTRAM有望成為未來存儲解決方案的重要組成部分，為高密度存儲需求提供更為高效的選擇。

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Kioxia Corporation是全球領先的記憶體解決方案提供商，致力于開發、生產和銷售快閃記憶體及固態硬盤（SSD）產品。公司前身為Toshiba Memory，2017年4月正式脫離Toshiba Corporation。作為創新的推動者，Kioxia以其BiCS FLASH? 3D快閃記憶體技術不斷引領存儲技術的未來，涵蓋從智能手機、PC到汽車及數據中心等多種高密度應用領域。

通過提供具有創新性和高效能的存儲產品與解決方案，Kioxia不斷提升全球客戶的競爭力，推動智能社會的建設。